理想真空硅(P 型)片 - Si,100 克,纯度 99.999%,硼掺杂,熔点 1,410°C,1 - 10 毫米片,PVD 蒸发材料,硅半导体薄膜

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Ideal Vacuum PVD ​​材料,硅(P 型)片 - Si,99.999% (5N) 纯度,1 - 10 毫米片,100 克瓶装,硅熔点 1,410 °C,热蒸发材料,薄膜沉积材料,零件编号:P1013575
Ideal Vacuum Products, LLC.

如果您正在为您的工艺寻找高质量的 PVD ​​蒸发材料,那么您来对地方了。

本产品为一瓶 100 克高纯度硅(P 型)片(99.999%),尺寸为 1 - 10 毫米,装在 PET 塑料瓶中运输。这些材料的密度为 2.32 g/cc,熔点为 1,410°C,在 1,337°C 时的蒸汽压为 10-4 Torr。其热膨胀系数为 2.6 x 10-6/K,Z 比为 0.437。

我们采用极具竞争力的定价策略,确保您以最优惠的价格获得最高质量的产品,让您的每次购买都物有所值。我们为每位客户提供折扣,批量订购的客户将享受更大的折扣。我们备有大量 PVD ​​蒸发材料库存,因此大多数订单都会在下单当天发货。这种较短的交货期深受所有希望管理现金流、维持较低库存水平和降低仓储成本的客户的喜爱。从 Ideal Vacuum 购买意味着客户可以快速收到产品,提高满意度,同时满足他们的紧急库存需求。这也使我们的客户能够快速适应新趋势和需求,从而在竞争中保持领先地位。

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硅(P 型)
P 型硅因其半导体特性而成为物理气相沉积 (PVD) 工艺中使用的关键材料。硅的物理、化学、电学和热学特性使其成为现代技术和工业中不可或缺的材料。
P 型硅是一种半导体材料,其中掺杂了可为其提供正电荷载流子(空穴)的元素。这种类型的硅因其导电能力而对各种电子和光伏应用至关重要。在薄膜应用中,P 型硅起着关键作用,尤其是在太阳能电池和晶体管中。

掺杂元素:P 型硅通常掺杂元素周期表第 III 族元素,例如硼、铝或镓。硼是最常用的掺杂剂。

硅的薄膜应用
  • 太阳能电池:
  • 非晶硅 (a-Si) 太阳能电池:P 型硅通常用于制造非晶硅太阳能电池。这些电池具有一层薄薄的 P 型硅,与 N 型硅形成结,有助于分离光吸收产生的电荷载流子。
  • 薄膜晶体管 (TFT):非晶硅 TFT:P 型硅可用于薄膜晶体管,薄膜晶体管是显示器和其他电子设备的重要组成部分。它们在灵活性和低成本制造方面具有优势。
    低温多晶硅 (LTPS) TFT:这些晶体管使用 P 型多晶硅,与非晶硅 TFT 相比,在更高的迁移率和更快的开关速度方面具有更好的性能。

总体而言,p 型硅的多功能性和良好的物理和化学特性使其成为生产用于各种先进技术应用的薄膜的宝贵材料。

Ideal Vacuum Products 以极具竞争力的价格和短交货期提供各种尺寸的蒸发材料。我们还接受定制颗粒尺寸订单以满足您的特定要求。如有任何疑问,请联系我们的销售团队。

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