理想真空矽（P 型）片 - 矽，100 克，純度 99.999，摻硼，熔點 1,410°C，1 - 10 毫米片，PVD 蒸發材料，矽半導體薄膜
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理想真空 PVD 材料，矽（P 型）片 - Si，純度 99.999% (5N)，1 - 10 mm 片，100 克瓶，矽熔點 1,410 °C，熱蒸發材料，薄膜沉積材料，零件號碼：P1013575
理想真空產品股份有限公司。
如果您正在為您的工藝尋找高品質的 PVD 蒸發材料，那麼您來對地方了。
本產品為一瓶 100 克高純度矽（P 型）片 (99.999%)，尺寸為 1 - 10 毫米，採用 PET 塑膠瓶運輸。這些碎片的密度為 2.32 克/立方厘米，熔點為 1,410°C，1,337°C 時的蒸氣壓為 10-4 托。 其熱膨脹係數為2.6 x 10-6/K，Z 比為0.437。
我們採用極具競爭力的定價策略，確保您以盡可能高的價值獲得最優質的產品，讓您在每次購買時都能負擔得起且卓越。我們為每位客戶提供折扣，大量訂購的客戶將享受更大的折扣。我們備有大量 PVD 蒸發材料庫存，因此大多數訂單會在下單當天出貨。這種較短的交貨時間受到所有希望管理現金流、保持較低庫存水準並降低儲存成本的客戶的喜愛。從 Ideal Vacuum 購買意味著客戶可以快速收到他們的產品，提高滿意度，同時滿足他們緊急的庫存需求。這也使我們的客戶能夠透過快速適應新趨勢和需求來保持競爭優勢。
價格匹配保證
我們致力於為您的購買提供最大的價值。如果您發現競爭對手的相同商品價格較低，我們會積極進行價格匹配。只需向我們提供相關詳細信息，我們將確保您獲得更好的交易。
矽（P型）
P 型矽因其半導體特性而成為物理氣相沉積 (PVD) 製程中使用的關鍵材料。矽的物理、化學、電學和熱學特性的結合使其成為現代技術和工業中不可或缺的材料。
P型矽是一種半導體材料，摻雜了為其提供正電荷載子（電洞）的元素。由於其導電能力，這種類型的矽在各種電子和光伏應用中至關重要。在薄膜應用中，P型矽起著舉足輕重的作用，特別是在太陽能電池和電晶體中。
摻雜元素：P 型矽通常摻雜元素週期表第 III 族的元素，例如硼、鋁或鎵。硼是最常用的摻雜劑。
理想真空產品股份有限公司。
本產品為一瓶 100 克高純度矽（P 型）片 (99.999%)，尺寸為 1 - 10 毫米，採用 PET 塑膠瓶運輸。這些碎片的密度為 2.32 克/立方厘米，熔點為 1,410°C，1,337°C 時的蒸氣壓為 10-4 托。 其熱膨脹係數為2.6 x 10-6/K，Z 比為0.437。
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矽（P型）
P 型矽因其半導體特性而成為物理氣相沉積 (PVD) 製程中使用的關鍵材料。矽的物理、化學、電學和熱學特性的結合使其成為現代技術和工業中不可或缺的材料。
P型矽是一種半導體材料，摻雜了為其提供正電荷載子（電洞）的元素。由於其導電能力，這種類型的矽在各種電子和光伏應用中至關重要。在薄膜應用中，P型矽起著舉足輕重的作用，特別是在太陽能電池和電晶體中。
摻雜元素：P 型矽通常摻雜元素週期表第 III 族的元素，例如硼、鋁或鎵。硼是最常用的摻雜劑。
矽的薄膜應用
- 太陽能電池： 非晶矽 (a-Si) 太陽能電池：P 型矽通常用於製造非晶矽太陽能電池。這些電池具有一層薄薄的 P 型矽層，與 N 型矽形成結，有利於光吸收產生的電荷載子的分離。
- 薄膜電晶體 (TFT)： 非晶矽 TFT：P 型矽可用於薄膜電晶體，薄膜電晶體是顯示器和其他電子設備的重要組件。它們具有靈活性和低成本製造的優勢。
低溫多晶矽 (LTPS) TFT：與非晶矽 TFT 相比，這些電晶體使用 P 型多晶矽，在更高的遷移率和更快的開關速度方面提供更好的性能。
總體而言，p 型矽的多功能性和良好的物理和化學特性使其成為生產各種先進技術應用的薄膜的寶貴材料。
Ideal Vacuum Products 以極具競爭力的價格和較短的交貨時間提供各種尺寸的蒸發材料。我們也接受客製化顆粒尺寸訂單，以滿足您的特定要求。如有任何疑問，請聯絡我們的銷售團隊。
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