Ideal Vacuum HAFNIUM 펠릿 - Hf, 100그램, 순도 99.95%, 하프늄 녹는점 2227°C, 1 - 6mm 펠릿, PVD 증발 재료, 하프늄 박막

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Ideal Vacuum PVD 재료, 하프늄 펠릿 - Hf, 99.95% (3N5) ​​순도, 하프늄 녹는점 2227 °C, 1 - 6mm 펠릿 크기, 100그램, 열 증발 재료, E-빔 증착 재료, 하프늄 금속 박막, 부품 번호: P1013584
Ideal Vacuum Products, LLC.

당사는 귀사의 공정에 고품질 PVD 증발 재료를 공급합니다.

이 제품은 1 x 6mm 크기의 고순도 하프늄 펠릿(99.95%) 100그램이 들어 있는 병으로 PET 플라스틱 병에 담겨 배송됩니다. 이 제품은 밀도가 13.31g/cc, 녹는점이 2,227°C, 증기압이 3,090°C에서 10-4Torr입니다. 열팽창 계수는 5.9 x 10-6/K이고 Z 비율은 0.36입니다.

저희는 매우 경쟁력 있는 가격 책정 전략을 사용하여 최상의 가치로 최고 품질의 제품을 받을 수 있도록 보장하여 모든 구매에서 저렴함과 우수성을 제공합니다. 저희는 모든 고객에게 할인을 제공하며, 대량 주문하는 고객은 더 큰 할인 혜택을 누릴 수 있습니다. 저희는 PVD 증발 재료의 대량 재고를 보유하고 있으므로 대부분 주문은 주문한 날 당일에 배송됩니다. 이 짧은 리드 타임은 현금 흐름을 관리하고, 재고 수준을 낮추고, 보관 비용을 줄이려는 모든 고객에게 사랑받고 있습니다. Ideal Vacuum에서 구매하면 고객이 제품을 신속하게 받아 만족도를 높이고 긴급한 재고 요구 사항을 충족할 수 있습니다. 이를 통해 고객은 새로운 트렌드와 수요에 빠르게 적응하여 경쟁에서 앞서 나갈 수 있습니다.

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하프늄
하프늄은 높은 녹는점, 뛰어난 내식성, 안정적인 산화물 형성 능력과 같은 고유한 특성으로 인해 박막 응용 분야에서 귀중한 재료입니다.


하프늄의 박막 응용 분야
  • 전자 및 마이크로 전자:
  • 게이트 유전체: 하프늄 산화물(HfO2)은 트랜지스터의 고-k(고 유전율) 게이트 유전체 재료로 현대 반도체 소자에서 널리 사용됩니다. 고급 CMOS 기술 노드에서 이산화규소(SiO2)를 대체하여 게이트 누설을 줄이고 전자 부품의 추가 소형화를 가능하게 합니다.
    커패시터: HfO2는 커패시터에도 사용되며, 높은 유전율로 인해 더 작은 부피에서 더 큰 정전 용량을 제공하여 다양한 전자 장치의 성능을 향상시킵니다.
  • 내마모성 코팅:
  • 기계적 응용 분야: 하프늄 박막은 극한 조건에 노출된 기계적 부품에서 내마모성 코팅으로 적용됩니다. 필름은 단단하고 내구성 있는 표면을 제공하여 이러한 구성 요소의 수명을 연장하는 데 도움이 됩니다.
  • 핵 응용 분야:
  • 제어봉 코팅: 하프늄의 중성자 흡수 능력으로 인해 제어봉에 사용되는 원자로에서 선택할 수 있는 재료가 되었습니다. 하프늄 또는 그 합금의 박막은 제어봉에 적용되어 성능과 수명을 향상시킵니다.
  • 광학 응용 분야:
  • 고굴절률 층: 하프늄 산화물 박막은 광학 코팅, 특히 반사 방지 코팅, 거울 및 렌즈에 사용됩니다. 높은 굴절률과 가시광선 및 근적외선 영역의 투명성으로 이러한 응용 분야에 이상적입니다.
    레이저 코팅: HfO2는 레이저 광학용 코팅에 사용되며, 레이저 전력을 저하시키지 않고 견딜 수 있어 고전력 레이저 시스템에서 내구성과 성능을 보장합니다.

하프늄은 유전율, 내식성, 굴절률, 극한 조건에서의 안정성이 독특하게 결합되어 박막 응용 분야에서 매우 다재다능한 소재입니다. 전자, 광학, 보호 코팅, 핵 기술, 촉매에 광범위하게 사용되어 이러한 분야의 발전에 크게 기여하고 있습니다.

Ideal Vacuum Products는 매우 경쟁력 있는 가격과 짧은 리드타임으로 다양한 크기의 증발 소재를 공급합니다. 또한 고객의 특정 요구 사항을 충족하기 위해 맞춤형 펠릿 크기 주문도 받습니다. 문의 사항이 있으시면 영업팀에 문의해 주세요.

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