理想真空铜粒 - Cu,100 克,99.999% - 5N 纯度,铜熔点 1,085°C,6 x 6 毫米粒料,PVD 蒸发材料,铜金属薄膜

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物理气相沉积颗粒,铜颗粒 - Cu,纯度 99.999%,原子量 63.546 amu,熔点 1,083 °C,6 x 6 毫米颗粒,100 克瓶装
Ideal Vacuum Products, LLC.

如果您正在为您的工艺寻找高质量的 PVD ​​蒸发材料,那么您来对地方了。本产品是一瓶 100 克高纯度铜 (Cu) 颗粒 (99.999%),尺寸为 6 x 6 毫米,装在 PET 塑料瓶或玻璃瓶中运输。这些颗粒的密度为 8.92 g/cc,熔点为 1083°C,在 1,017°C 时的蒸汽压为 10-4 Torr。其热膨胀系数为 16.5 x 10-6/K,在薄膜沉积的背景下,其 Z 比为 0.437。

我们使用极具竞争力的定价策略,以确保您以最优惠的价格获得最高质量的产品,让您的每次购买都物有所值。我们为每位客户提供折扣,批量订购的客户将享受更大的折扣。我们备有大量 PVD ​​蒸发材料库存,因此大多数订单都会在下单当天发货。这种较短的交货期受到所有希望管理现金流、维持较低库存水平和降低仓储成本的客户的喜爱。从 Ideal Vacuum 购买意味着客户可以快速收到他们的产品,从而提高满意度,同时满足他们的紧急库存需求。这也使我们的客户能够通过快速适应新趋势和需求来保持领先于竞争对手。

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铜是一种化学元素,符号为Cu,原子序数为29。它是一种红金色金属,具有高度的电导性和导热性。它的密度为8.92 g/cc,熔点为1083°C,蒸汽压为10-4 Torr(1,017°C)。其热膨胀系数为 16.5 x 10-6/K,在薄膜沉积中,其 Z 比为 0.437。

铜因其出色的导电性、热性能和粘附特性而广泛应用于薄膜行业。它可以通过电子束蒸发或电阻加热在坩埚、蒸发舟和金属丝篮中熔化和蒸发。以下是使用铜薄膜的几个例子。

铜的薄膜应用
  • 微电子中的互连:
  • 铜薄膜用于集成电路和半导体器件中,由于其电阻低,可在元件之间创建高效的电气通路。
  • 涂层和电镀:铜薄膜在各种电子设备中用作导电层,为进一步沉积或电镀提供可靠、高效的导电表面。
  • 反射涂层:铜的高反射率使其适用于光学涂层和镜子,可提高依赖光反射的设备的效率。
  • 阻挡层:在多层薄膜结构中,铜可以充当扩散阻挡层,防止不同材料的混合,保持各层的完整性和性能。
  • 传感器和催化剂:由于铜薄膜具有反应性表面特性,因此可用于气体传感器和化学反应的催化剂。
  • 靶背板:真空镀膜机中的溅射靶传统上粘合在铜背板上。

总体而言,铜的多功能性和良好的物理和化学特性使其成为生产各种先进技术应用的薄膜的宝贵材料。

Ideal Vacuum Products 以极具竞争力的价格和较短的交货时间提供各种尺寸的蒸发颗粒。请查看下面的其他颗粒尺寸选项,如有任何疑问,请联系我们的销售团队。我们还接受定制颗粒尺寸订单,以满足您的特定要求。



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